特性曲线
与PN结一样，二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安
特性曲线（图）。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，
电流开始按指数规律，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于
完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。
对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较
小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧
，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管
的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。
二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出
。
正向特性
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连
接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导
通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电
压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。导通
后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向
压降”。
反向特性
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流
流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍
然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压到某一数值，
反向电流会急剧，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。
二极管的正负二个端子。正端A称为阳极，负端K ；称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移
动。一些初学者容易产生这样一种错误认识：“半导体的一‘半’是一半的‘半’；而二极管
也是只有一‘半’电流流动（这是错误的），所有二极管就是半导体 ；”。其实二极管与半
导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能
流动电流。
一）普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极
管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻
值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个
结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反
向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是
二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电
阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻
越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好
。 若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或
漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。
其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管
的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测
试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。 也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿
电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，
同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表
手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向
击穿电压。
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